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2026-10-12 · Source：Tom's Hardware
Le procédé FD-SOI double la densité de transistors par rapport au 22FDX, avec une production prévue en 2028, tandis que le fondeur ressuscite une voie en nœud avancé qu’il avait mise de côté.
Sept ans, c’est long pour rester à l’écart de la course la plus décisive des semi-conducteurs. GlobalFoundries, qui avait tourné le dos au développement du FinFET il y a sept ans, a décidé de revenir sur le terrain des nœuds avancés — par une autre porte.
Le véhicule de ce retour s’appelle FDX Fusion, un procédé de classe 7nm construit sur le FD-SOI. GlobalFoundries indique que le nouveau nœud double la densité de transistors par rapport au 22FDX, la plateforme FD-SOI déjà présente dans son portefeuille — un bond substantiel au sein de cette famille technologique. L’annonce marque le retour officiel de l’entreprise au développement avancé du FD-SOI, une branche de l’ingénierie de procédés qu’elle avait mise en veille en se retirant des architectures de transistors de pointe pour réorienter sa feuille de route ailleurs.
La production est prévue pour 2028.
C’est cette trajectoire qui fait l’histoire. Lorsque GlobalFoundries a abandonné le FinFET il y a sept ans, la décision l’a exclue de la course à la miniaturisation qui définit le sommet de l’industrie, et l’entreprise opère depuis selon une autre thèse. FDX Fusion prolonge cette même logique dans une nouvelle direction : plutôt que de courir après l’architecture de transistors à laquelle elle a renoncé, le fondeur pousse sa technologie FD-SOI différenciante jusqu’aux dimensions de classe 7nm, la densité doublée par rapport au 22FDX servant de preuve concrète au programme. C’est un retour dans le développement avancé, mais exécuté aux conditions du fondeur et sur le substrat de son choix.
Pour les acheteurs de puces, les deux chiffres à suivre sont l’annonce de densité et le calendrier. Le bond de 2x par rapport au 22FDX définit ce que FDX Fusion délivre réellement ; l’objectif de production en 2028 définit à quelle distance se situe la récompense. Si le nœud atteint la fabrication dans les délais, GlobalFoundries produira à nouveau aux dimensions de classe 7nm — un territoire qu’elle avait quitté en abandonnant le FinFET, et qu’elle rebâtit désormais sur silicium sur isolant plutôt que sur la technologie de transistors délaissée il y a sept ans.
Mots-clés: GlobalFoundries · FDX Fusion · FD-SOI · 22FDX · Semiconductor Manufacturing
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