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2026-09-10 · Source：TechPowerUp
Trois piles HBM3E sur quatre du fabricant chinois de mémoire seraient défectueuses, la technologie TSV jugée immature pointée du doigt, tandis que Samsung, SK hynix et Micron passent à l'échantillonnage du HBM4E.
Selon la presse sud-coréenne, le géant chinois de la mémoire CXMT n'afficherait qu'un rendement de 25 % sur son HBM3E, trois piles produites sur quatre sortant défectueuses de ses lignes. Cette révélation intervient quelques semaines après l'annonce, fin du mois dernier, du démarrage par l'entreprise d'une production à risque de mémoire HBM3E en séries limitées — une information alors accompagnée de très peu de détails. Ce premier rapport situait déjà CXMT à deux générations derrière Samsung, SK hynix et Micron, qui avancent quant à eux déjà dans l'échantillonnage du HBM4E.
Ce contretemps souligne à quel point l'empilement de DRAM s'avère plus complexe que la fabrication de DRAM planaire, un domaine dans lequel CXMT serait, selon les mêmes sources, particulièrement performant. Les rendements médiocres sont attribués à l'immaturité de la technologie des interconnexions traversantes en silicium (TSV) employée par l'entreprise dans son procédé d'empilement. Là où CXMT s'est bâti sa réputation sur la production de DRAM planaire conventionnelle, la transition vers la mémoire empilée verticalement se révèle bien plus ardue.
Selon le détail rapporté, la fabrication en amont (front-end) de CXMT atteint un rendement d'environ 30 %, tandis que le traitement en aval (back-end) affiche environ 70 % par rapport à cette base — un effet cumulatif qui aboutit au chiffre global de 25 % désormais associé à l'entreprise.
L'écart avec les acteurs établis en matière de TSV est frappant. Samsung déploie environ 5 000 TSV par couche sur son HBM2, tandis que SK hynix en utilise plus de 8 000 par couche pour son HBM3. CXMT, à l'inverse, tente de produire du HBM3E avec seulement 3 000 TSV par couche, tout en s'efforçant d'empiler huit couches dans la configuration classique 8-Hi.
Mots-clés: CXMT · HBM3E · TSV · DRAM · Samsung · SK hynix
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